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参数目录38387
> IXTA88N085T7 MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
型号:
IXTA88N085T7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTA88N085T7 PDF
标准包装
50
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
85V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
88A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3140pF @ 25V
功率 - 最大
230W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装
TO-263-7
包装
管件
查看IXTA88N085T7代理商
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